フラッシュメモリーを日本国内で製造する外資系の大手企業が、半導体フラッシュメモリの20nmまでを目指した最先端デバイスを開発しているために、ＮＡＮＤフラッシュメモリのデバイスエンジニアを募集しております。
この企業はフラッシュカードでは世界トップシェアで、現在も急成長している会社であります。
ご興味のある方は下記にお問い合わせ下さい。
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ご興味のある方は下記にお問い合わせ下さい。
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＊DS社
--職種：⇒ＮＡＮＤフラッシュメモリのデバイスエンジニア（10名）
--職務内容：⇒NAND型フラッシュメモリ共同開発プロジェクトにおいて、次世代及び次々世代のNAND型フラッシュメモリのデバイス開発業務に関わっていただきます。世界最高レベルの技術を結集し、300mm/70nm量産体制を確立、2007年より300mm/56nm製品量産開始。微細化による最先端の半導体開発、量産を行っています。
--資格・経験：⇒大卒以上で下記に該当される方
【具体的には】
以下の経験をお持ちの方
・デバイス特性、信頼性の評価及び最適化、または不良解析の経験
【例えばこんな方】
・次世代、次々世代のデバイス開発にチャレンジしたい方
・最先端の微細デバイス開発にチャレンジしたい方
・最終半導体製品に携わりたい方
・フレキシブルな組織、大きな裁量の中でチャレンジしたい方
--国籍：⇒不問（但し日本での就労が可能で、日本語でのコミュニケーションに問題がない方）
--語学力：⇒メールの読書きに支障のない程度の基礎的な英語力※簡単な英会話が出来れば尚可（TV会議やE-mail、海外出張において英語を使用する機会があります。英語教育費補助プラグラム有）
--勤務地：⇒三重県四日市市、神奈川県大船
--勤務時間：⇒フレックスタイム制
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少しでも興味がおありでしたら、下記にぜひご一報ください。より具体的な内容をお知らせします。
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株式会社マルチタスク・カンパニー
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