160lm超の高光束を実現したGaN on Si技術による白色LEDを量産 - LED照明/有機EL照明分野の動向

LED照明/有機EL照明分野の動向 ホーム » スポンサー広告 » LED照明 » 160lm超の高光束を実現したGaN on Si技術による白色LEDを量産

スポンサーサイト

上記の広告は1ヶ月以上更新のないブログに表示されています。
新しい記事を書く事で広告が消せます。

160lm超の高光束を実現したGaN on Si技術による白色LEDを量産

【新商品!】東芝 E-CORE LED電球 一般電球形 7.8W 電球色LDA8L-G/60W [LDA8LG60W] 単品

価格:1,084円
(2015/2/5 15:50時点)
感想(34件)




EE Times Japan 2月4日(水)

 東芝は2015年2月3日、シリコン(Si)ウエハー上に窒化ガリウム(GaN)を結晶成長させる「GaN on Si技術」を用いて、160lm(ルーメン)を超える光束を実現した3.5mm角レンズパッケージの照明用白色LED「TL1L4シリーズ」の量産を開始した。東芝では、「業界トップクラスの高い光束を実現した」としている。

 量産を開始した白色LEDは、常温動作時に160~170lmの高光束を実現。常温で160lm/Wの発光効率を達成すると共に、周囲温度85℃での動作電流を1Aまで可能とした。「従来製品『TL1L3シリーズ』と比較して、同85℃で60%以上の光束値の改善を実現している」(東芝)。

 電気的/光学的特性は、実際の使用を想定した動作条件(順電流350mA、接合部温度85℃)で選別を行い、順電流絶対最大定格は1.5A(周囲温度55℃未満、接合部温度150℃以下)となっている。カラーラインアップとしては2700Kから6500Kまでの全9色をそろえ、LED電球をはじめベースライト、ダウンライト、街路灯、投光器などの用途へ展開する。
関連記事
スポンサーサイト
コメント
非公開コメント

トラックバック

http://ebrain3.blog5.fc2.com/tb.php/1106-482737ed

上記広告は1ヶ月以上更新のないブログに表示されています。新しい記事を書くことで広告を消せます。